IRF830 là MOSFET kênh N chủ yếu được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao và tốc độ cao nhưng nó có thể được sử dụng trong bất kỳ ứng dụng mục đích chung nào.
Điện áp tối đa từ cực máng đến cực nguồn của transistor là 500V do đó nó có thể được sử dụng trong các ứng dụng điện áp cao. Dòng cực máng liên tục tối đa của transistor là 4,5A và dòng xung cực máng tối đa là 18A.
IRF830 yêu cầu công suất điều khiển cực cổng thấp do nó có thể được lấy trực tiếp từ đầu ra của IC, vi điều khiển và các nền tảng điện tử khác.
Tính năng / Thông số kỹ thuật
Loại gói: TO-220
Loại transistor: Kênh N
Điện áp tối đa từ cực máng đến cực nguồn: 500V
Điện áp tối đa từ cực cổng đến cực nguồn: ± 20V
Dòng liên tục cực máng tối đa: 5A
Dòng xung cực máng tối đa: 18A
Công suất tiêu thụ tối đa là: 75W
Điện trở cực máng đến cực nguồn ở trạng thái bật (bật RDS): 1.500Ω
Nhiệt độ bảo quản và hoạt động tối đa: -55 đến +150 độ C.
—————————————————–
Linh Kiện Điện tử Hung Yên cam kết về chất lượng sản phẩm và mong muốn được đồng hành lâu dài với quý khách!
Quý khách nên đặt thêm các khác của shop để được miễn phí ship cho đơn hàng
Trong trường hợp:
+Khách hàng mua với số lượng lớn
+Không tìm thấy sản phẩm tại Shop
+Phí vận chuyển quá cao
Quý khách vui lòng inbox shop để được hỗ trợ
==> Khi bạn nhận được hàng từ Shop nhớ quay lại video lúc mở hàng, và khi sử dụng lần đầu. Để làm bằng chứng đối chiếu hai bên khi xảy ra tranh chấp.
Cảm ơn quý khách đã mua sắm tại Shop!
Chúc quý khách luôn mạnh khỏe, một ngày tốt lành!
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.